北京時間6月19日中午消息，76歲的IBM研究人員羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)將于下周四獲得“電氣電子工程師協會”(IEEE)發的榮譽勛章。

登納德在IBM工作了51年，其主要成就有兩項：1960年代末發明的DRAM內存芯片和1970年代中期發表的標度理論(scaling theory)。標度理論闡述了如何不斷縮小晶體管尺寸，開發更小、更快、更廉價芯片的方法。登納德稱標度理論和摩爾定律“相得益彰”。

如果沒有DRAM芯片，計算機內存的情形將與目前的硬盤和筆記本電池相似。登納德回憶說，1960年代末，IBM大型主機主要使用磁芯存儲器。磁芯存儲器不但容易損壞，而且價格昂貴、速度慢，但其一個優點是具有非揮發性，即使斷電后保存的數據也不會丟失。

當時，所有其他研究人員的存儲芯片原型都采用多晶體管設計，設計復雜，造價昂貴。為了解決這一問題，部分研究人員開始測試雙極晶體管。但登納德看好金屬氧化物半導體場效應晶體管(以下簡稱“MOSFET”)，他承認，“MOSFET確實不夠先進，而且存在一些問題，但我仍然認為它非常有前途。”

登納德終于制造出了采用單晶體管設計的存儲單元，并于1968年申請了專利，但存儲芯片市場仍然是多晶體管DRAM芯片的天下，直到1970年代中期，首個采用單晶體管設計的DRAM芯片才問世。

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