臺積電豪言:我們的3nm就能打敗Intel 1.8nm!
Intel正在積極推進“四年五個制程節點”計劃,將在2024-2025年搞定20A、18A工藝,分別相當于2nm、1.8nm,尤其后者預計會反超臺積電,重奪領先。
對此,臺積電自然不會坐視不理,對自己的技術也非常自信。
臺積電總裁魏哲家聲稱,根據內部評估,臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A,而且更早推出、更成熟、更省成本。
他還強調,臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進,2025年推出的時候將成為最先進的制程工藝。
Intel 20A/18A將會引入全環繞柵極晶體管RibbonFET,以及背部供電PowerVia。
臺積電的N3/N3E/N3P/N3X 3nm系列則依然是傳統的FinFET晶體管,2nm工藝上才會上馬GAA全環繞晶體管。
其中,N2版本計劃2025年下半年量產,N2P版本計劃2026年底量產。
在過去的第三季度,5nm工藝為臺積電貢獻了37%的收入,遙遙領先其他節點,其次是7nm 16%、28nm 10%、16nm 9%。
3nm在這個季度第一次為臺積電創收,就帶來了約10.3億美元(感謝蘋果)。
相比之下,5nm工藝在2020年第三季度首次商用取得收入約9.7億美元,占比約8%。
