5G技術(shù)在全球的蓬勃發(fā)展和推廣，將為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。這些半導(dǎo)體以提供小尺寸和高功率密度而聞名，在電信運(yùn)營商擴(kuò)大基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的同時(shí)，加速了它們的采用。

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根據(jù)Global Market Insights的一項(xiàng)研究，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將超過45億美元。各國政府為采用5G技術(shù)而采取的持續(xù)舉措將推動(dòng)該行業(yè)的發(fā)展。

由于集成了專用芯片組和集成電路，SiC功率模塊內(nèi)部的技術(shù)創(chuàng)新可以減少設(shè)備占地面積，提高能源效率，這可能會(huì)推動(dòng)其在智能電網(wǎng)應(yīng)用和智能電表中的需求。此外，由于工業(yè)自動(dòng)化機(jī)器人和機(jī)械的發(fā)展趨勢(shì)，工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)部門預(yù)計(jì)將見證高產(chǎn)品需求。

2020年，離散型GaN類占行業(yè)份額的2%左右，預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)時(shí)間內(nèi)復(fù)合年增長率將達(dá)到40%左右。分立GaN功率半導(dǎo)體具有低成本、寬禁帶等優(yōu)點(diǎn)，因此在消費(fèi)類電子器件中的充電應(yīng)用需求不斷增加。

GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件有助于提高功率密度，減小無源器件的尺寸，從而推動(dòng)其在光伏逆變器中的應(yīng)用。光伏逆變器應(yīng)用領(lǐng)域在2020年的市場份額保持在25%以上，由于消費(fèi)者對(duì)清潔電力的偏好激增，在預(yù)測(cè)的時(shí)間框架內(nèi)，很可能以30%的復(fù)合年增長率增長。