回想一下，2017~2018 年，什么理財(cái)產(chǎn)品最火爆?

答案是內(nèi)存條，一年時(shí)間，小小的內(nèi)存條價(jià)格翻了 3 倍，還經(jīng)常買(mǎi)不到。

內(nèi)存(DRAM)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是半導(dǎo)體行業(yè)中體量最大的一塊，無(wú)論是手機(jī)、PC 還是服務(wù)器，都需要 DRAM 作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈?/p>

如果說(shuō)處理器等領(lǐng)域，中國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲(chǔ)市場(chǎng)就幾乎為零了。現(xiàn)在，一家中國(guó)廠商，發(fā)布了第一顆 DDR4 規(guī)格的內(nèi)存條。

“砸“出來(lái)的突破

長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫與福建晉華，是中國(guó)較為突出的三家存儲(chǔ)芯片企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)主攻 NAND 也就是閃存，長(zhǎng)鑫與晉華則是 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)也就是我們平時(shí)所說(shuō)的內(nèi)存條。

2 月 26 日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式發(fā)布了其 DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，以及 DDR4 內(nèi)存條、幾款產(chǎn)品均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

此次長(zhǎng)鑫推出的內(nèi)存芯片，主要用于主流 PC 市場(chǎng)，規(guī)格方面，長(zhǎng)鑫 DDR4 內(nèi)存芯片有兩款可以選擇， 單顆容量為 8GB(1GB)，頻率 2666 MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 至 95℃，提供 78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

LPDDR4X內(nèi)存芯片在規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃ 至 85℃，200ball FBGA 封裝。

除了芯片以外，長(zhǎng)鑫還推出了成品內(nèi)存條，采用自家的原廠內(nèi)存顆粒，容量為 8GB，DDR4，頻率為2666 Hz。

當(dāng)然，這還不意味著你馬上就能買(mǎi)到國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存條，目前產(chǎn)品還未上架，長(zhǎng)鑫已開(kāi)始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷(xiāo)售咨詢，預(yù)計(jì)近期上市。

盡管在行業(yè)研發(fā)上 DDR4 不算是最先進(jìn)的技術(shù)，但是在消費(fèi)市場(chǎng)，DDR4 內(nèi)存還是主流，頻率上也處在平均水準(zhǔn)。

合肥長(zhǎng)鑫于 2016 年由兆易創(chuàng)新、中芯國(guó)際前 CEO 王寧國(guó)與合肥產(chǎn)投簽訂協(xié)議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創(chuàng)新，目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)員工總數(shù)超過(guò) 2700 人，技術(shù)人員超過(guò) 500 人。CEO 朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，后者是全球最大的 NOR Flash 供應(yīng)商。

長(zhǎng)鑫的建立和規(guī)劃，是半導(dǎo)體行業(yè)典型的“舉國(guó)體制”。

2017 年 9 月， 國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期宣布入股國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約 11% 股權(quán)，成為了其第二大股東。

次月，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，研發(fā) 19 nm 制程的12 英寸晶圓 DRAM，預(yù)算為人民幣 180 億元，兆易創(chuàng)新出資20%，預(yù)計(jì)在 2018 年底前研發(fā)成功，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于 10%。

最終 19 nm 姍姍來(lái)遲。2019 年，在安徽合肥召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約 1500 億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，整個(gè)制造基地項(xiàng)目總投資超過(guò) 2200 億元，長(zhǎng)鑫也正式宣布自主研發(fā)的基于 19nm 工藝制造的 8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)。

2019 年 12 月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司公布其最新的 DRAM 技術(shù)路線圖，將采用19nm工藝生產(chǎn)4Gb和 8Gb DDR4，目標(biāo)在2020年一季度實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。目前長(zhǎng)鑫月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片。另外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座DRAM晶圓廠。

韓國(guó)半導(dǎo)體在各種超大規(guī)模的投資和收購(gòu)中逐漸成長(zhǎng)，我國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)也走在這樣的路上。

靠“買(mǎi)買(mǎi)買(mǎi)”追趕技術(shù)的長(zhǎng)鑫

目前，全球 DRAM 市場(chǎng)基本上被美韓瓜分，三星、SK 海力士、美光的全球市場(chǎng)份額合計(jì)在 95% 左右，而中國(guó)龐大的需求，只能依賴進(jìn)口解決。

數(shù)據(jù)顯示，從 2008 年開(kāi)始，我國(guó)集成電路進(jìn)口額超過(guò)原油，連續(xù) 11 年成為我國(guó)第一大宗的進(jìn)口商品;2019 年1~9 月存儲(chǔ)芯片進(jìn)口量為 2.5 億臺(tái)，累計(jì)增長(zhǎng) 9.5%，進(jìn)口金額為 1139 億元，累計(jì)增長(zhǎng)4%。

2018 年內(nèi)存條成為理財(cái)產(chǎn)品的情景還歷歷在目，要想穩(wěn)定市場(chǎng)價(jià)格，打破壟斷，就需要國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商們提升技術(shù)實(shí)力。

但是，半導(dǎo)體行業(yè)后來(lái)者入局難，除了需要投入高額的研發(fā)費(fèi)用以外，專利也是關(guān)鍵的門(mén)檻。行業(yè)巨頭完全可以通過(guò)專利來(lái)打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

福建晉華就因?yàn)閷＠麊?wèn)題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM 的研發(fā)計(jì)劃也被叫停。

而長(zhǎng)鑫最關(guān)鍵的一波操作，是 2019 年，吃下了已經(jīng)破產(chǎn)的原歐洲存儲(chǔ)芯片巨頭奇夢(mèng)達(dá)的大量專利。

2019 年 5 月，長(zhǎng)鑫 CEO 朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長(zhǎng)鑫從已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)處獲得了大量專利，并且在這個(gè)基礎(chǔ)上進(jìn)行了創(chuàng)新，專利申請(qǐng)數(shù)量達(dá)到了 16000 個(gè)，還有1000多萬(wàn)份、約 2.8TB 有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件。

2019 年底，長(zhǎng)鑫又宣布其與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。

依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲得奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)大量DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可，包括與 DRAM、FLASH 存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體制造、光刻(lithography)、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲(chǔ)器接口(Memory Interfaces)相關(guān)的技術(shù)，其中包括約 5000 種美國(guó)專利和申請(qǐng)。

專利不僅僅是為了提升技術(shù)實(shí)力，更是為了繞過(guò)專利的封鎖圍堵。

當(dāng)然，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)依然是處在追趕階段。目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)把將奇夢(mèng)達(dá)的 46nm 工藝改進(jìn)到了 10nm 級(jí)別，但制程也有高低之分。

如果用制程節(jié)點(diǎn)表示，1x nm制程相當(dāng)于 16~19 nm，1y nm制程相當(dāng)于 14~16nm ，1z nm制程相當(dāng)于 12~14nm，此外行業(yè)還規(guī)劃了 1α、1β 和 1γ 節(jié)點(diǎn)。

其中，長(zhǎng)鑫的 10nm 存儲(chǔ)芯片屬于第一代的 1x nm，而美光與 SK 海力士已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第二代 1y nm制程。今年初的 CES 上，美光就展示了基于 1y nm的 12G LPDDR5 內(nèi)存，由小米 10 首發(fā)，同時(shí)美光也表示今年晚些時(shí)候會(huì)推出 1z nm 級(jí)的產(chǎn)品。

而三星電子則是正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)用于旗艦級(jí)手機(jī)的 16GB LPDDR5 內(nèi)存，還計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)基于 10nm 級(jí)(1z)處理技術(shù)的16GB LPDDR5內(nèi)存。

除了制程以外，產(chǎn)能也需要提升。

長(zhǎng)鑫第一期投資約為 72 億美元，預(yù)計(jì)產(chǎn)能就有 12.5 萬(wàn)片晶圓/月。當(dāng)然這是理想結(jié)果，長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì) 2019 年底能達(dá)到 4 萬(wàn)片晶圓/月，達(dá)到全球產(chǎn)能的 3%。作為對(duì)比，三星等巨頭單月產(chǎn)量能達(dá)到 130 萬(wàn)片，還有較大差距。

2020 年，回暖的存儲(chǔ)市場(chǎng)

DRAM 是計(jì)算設(shè)備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM 一直是半導(dǎo)體行業(yè)出貨的主力軍。

IC Insights 《2020~2024年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》顯示，DRAM 在 2019 年預(yù)期銷(xiāo)售金額將下降 38%，但仍將成為所有半導(dǎo)體產(chǎn)品中銷(xiāo)售金額最大的產(chǎn)品，占總半導(dǎo)體銷(xiāo)售總金額 17%，市場(chǎng)將達(dá) 620 億美元規(guī)模。

銷(xiāo)售額下降主要是因?yàn)?2018 年價(jià)格的飛漲，這一年也是自 1990 年以來(lái)，DRAM 銷(xiāo)售額首次超過(guò)微處理器(MPU)的總銷(xiāo)售額。

2018 年前后熱炒內(nèi)存，是由于上游閃存顆粒嚴(yán)重缺貨，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片難產(chǎn)，價(jià)格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機(jī)，因此開(kāi)始擴(kuò)充產(chǎn)能，以填補(bǔ)市場(chǎng)空缺。

但隨后市場(chǎng)開(kāi)始低迷，產(chǎn)能過(guò)剩，存儲(chǔ)芯片價(jià)格又開(kāi)始走跌。

目前，市場(chǎng)開(kāi)始穩(wěn)定下來(lái)，一些機(jī)構(gòu)預(yù)熱今年市場(chǎng)將回溫。IC Insights 的報(bào)告就指出，部分存儲(chǔ)芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，預(yù)計(jì) 2020 年及 2021 年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加，進(jìn)入高速擴(kuò)張期。

任天堂、索尼、華為、蘋(píng)果存儲(chǔ)芯片的主要供應(yīng)商臺(tái)灣旺宏電子(Macronix)也預(yù)測(cè)，2020 年存儲(chǔ)芯片價(jià)格將反彈，市場(chǎng)需求也將穩(wěn)定復(fù)蘇。

除了價(jià)格周期以外，技術(shù)的更新?lián)Q代也將到來(lái)。

回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規(guī)劃，2020 年開(kāi)始 DDR5 會(huì)逐漸走入消費(fèi)市場(chǎng)，首先是移動(dòng)設(shè)備，然后是 PC。

此外，5G 和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲(chǔ)市場(chǎng)回暖的一個(gè)推手。

5G 網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)，也會(huì)促進(jìn) LPDDR5 的應(yīng)用與普及，高速的網(wǎng)絡(luò)需要高速的存儲(chǔ)性能與之配套。美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁 Christopher Moore 就表示，5G 網(wǎng)絡(luò)的部署將大大促進(jìn)LPDDR5 的應(yīng)用與普及。

此外，服務(wù)器端、云存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域，都將逐漸采用 DDR5 規(guī)格，用來(lái)滿足日益增長(zhǎng)的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場(chǎng)主流。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm(17nm)技術(shù)，DDR5 也在下一期規(guī)劃當(dāng)中。

總之，今年是存儲(chǔ)市場(chǎng)開(kāi)始回暖的一年，對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，長(zhǎng)鑫的 DDR4 是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，標(biāo)志著中國(guó)的 DRAM 在應(yīng)用市場(chǎng)追上了主流水平。不過(guò)，技術(shù)上的差距仍然肉眼可見(jiàn)。

未來(lái)幾年，隨著 PC 市場(chǎng)也開(kāi)始過(guò)渡到 DDR5。當(dāng)這一規(guī)格成為主流后，中國(guó)廠商們無(wú)疑將會(huì)面對(duì)的更大的挑戰(zhàn)。