“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的？
在整個電子產業鏈中，存儲芯片扮演著至關重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽為電子系統的“糧倉”。存儲芯片分為閃存和內存，閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，內存主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
多年未變的DRAM市場格局
DRAM內存主要用于電腦、手機和部分消費電子產品，據相關數據統計，2017年全球DRAM市場達568億美元，較2016年增長38.0%。目前DRAM市場被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據八成以上的份額，最***的時候它們三家壟斷全球DRAM市場95%的市場份額。據OFweek電子工程網了解到，三星在DRAM市場稱霸多年，已連續多年霸占市場***，市場份額過半。
韓國的DRAM內存發展迅速，并占領全球一半以上的市場，一方面得益于它們對這塊市場的重視和提前布局，另一方面在于三星和海力士強大的技術支持。美國本來就是半導體的發源地，再難的技術也難不倒它們。曾經有段時間，臺灣的DRAM企業風起云涌，試圖挑戰這三巨頭的地位，也出現了南亞、力晶、力積、玨創、晶豪等有一定影響力的企業，但終因這三家巨大的實力而無法撼動其地位。
2018年DRAM內存市場仍然有很大增長空間，最近三星公布的第三季度財報顯示，DRAM內存為其帶來了豐厚的營收和利潤，今年除了電腦、手機等傳統需求，智能電子產品和汽車是一個關鍵的驅動力。
造成DRAM市場“三足鼎立”的原因
一、技術難度高、研發周期長、投入大
存儲器產品有自身的特點，它的設計投入非常大，同時研發周期也很長，當然它的成本和售價也不低。DRAM芯片的研發難度很高，是典型的***科技產品。DRAM的技術難度在于隨著半導體制程的減小，電容器會受到直接穿隧電流的因素而難以微縮，且電容值也難增加。有專家預測，15nm是接近DRAM的物理極限，未來若想縮小線寬，只得開發新的材質。
隨著半導體制程的縮寫，DRAM芯片的研發周期增長了，以三星為例，它們正在研發的17nmDRAM預計明年進入量產階段，但16nmDRAM的研發最快量產時間也要達到2020年，制程提升后面的研發難度會越來越大。
DRAM技術的投入太大導致很多企業無法承受，動輒幾百億。據悉，三星曾投資近百億美金加大研發***的DRAM技術。而國內的合肥長鑫與兆易創新聯合投入百億研發技術，這也讓很多企業望而卻步。
二、市場和工藝的更新周期太快
市場對DRAM芯片的需求也不是一成不變，從電腦到手機，再到汽車、消費電子，再到智能產品等，DRAM市場的變化也讓中小企業步步為難。DRAM芯片從70nm到16nm，再到10nm等，由于薄膜厚度無法繼續縮減，靠縮減尺寸很難提升性價比，工藝上的創新才是當前進步的關鍵。
三、跨不過的“專利坑”
對于初創企業而言，專利一直是半導體領域越不過的坎。美光半導體和福建晉華就因為專利問題，雙方弄得不愉快。據悉，美光的多款自有品牌產品涉嫌侵害晉華專利，包含2TB 、500GB 的固態硬盤和相關侵權芯片。
三星和海力士在這個領域擁有很多的專利，三星早在上個世紀初開發出了全球***個生產DRAM內存芯片的70納米技術，當時已經為這個新技術申請了一項專利，如果想成為DRAM市場的巨頭，除了與它們合作，其它的辦法就是越過它們研發的專利，另辟蹊徑。
四、獨有工廠是這個市場的特點
三星、海力士和美光三家企業均擁有自己的DRAM內存芯片工廠，它們擁有自己的工藝。而對于很多中小型DRAM企業，沒有工廠，很難保證產品良率和性價比。如三星每個月是350萬片，假設投片沒有大幅度增加，則必須要靠工藝來維持年成長，SK海力士和美光的工藝工廠也均有自己的優勢。國內近年來也有很多企業建廠，但都是小批量，很難保證大產能的DRAM芯片的良率。
壟斷格局仍未改變
三家企業壟斷一直是這個行業的特點，正因如此，多年來DRAM芯片漲價不斷，這些企業賺翻了天，凈利潤高達50%以上，三星甚至達到了80%。對于很多中小企業而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業現狀，但仍舊無濟于事。
