最近工作中，經(jīng)歷了很多項(xiàng)目問題的調(diào)試，把這些問題歸總起來，其中和存儲(chǔ)有關(guān)的，獨(dú)占一半。而存儲(chǔ)對計(jì)算機(jī)系統(tǒng)造成的影響又可分為兩塊：一是系統(tǒng)功能的穩(wěn)健性；二是程序的執(zhí)行效率。

存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

1.1 存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

由于訪問速度、成本、功耗等指標(biāo)的制約，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)往往不是作為一個(gè)單一的大塊存在，而是被設(shè)置成一個(gè)多級(jí)的層次結(jié)構(gòu)。作為一個(gè)程序員，需要理解存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼘?yīng)用程序的性能有著巨大的影響。

圖1中展示了一個(gè)典型 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)層級(jí)結(jié)構(gòu)。和金字塔模型很像，越靠近金字塔頂端的存儲(chǔ)器，離CPU越近，訪問更便利且訪問速度快，但同時(shí)它們的容量也越來越小；反之越靠近底層，存儲(chǔ)容量越大，訪問速度卻越來越慢。

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最高層的L0，是CPU寄存器，CPU可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)訪問他們；接下來是一個(gè)或多個(gè)小型到中型的基于SRAM的高速緩存存儲(chǔ)器，可以在幾個(gè)CPU時(shí)鐘周期內(nèi)訪問它們；然后是一個(gè)大的基于DRAM的主存，可以在幾十到幾百個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)訪問它們；接下來是慢速但容量很大的本地磁盤；最后，甚至有些系統(tǒng)會(huì)通過網(wǎng)絡(luò)訪問其遠(yuǎn)程服務(wù)器上的磁盤。

圖1 存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

高速緩存可以存在一級(jí)或多級(jí)，甚至不存在于一些低性能的單片機(jī)中。TI C64X架構(gòu)中設(shè)計(jì)有2級(jí)的高速緩存，其數(shù)據(jù)和代碼的存取機(jī)制在本訂閱號(hào)之前的文章“TI C6000 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)處理與性能優(yōu)化”中有過描述。

1.2 存儲(chǔ)器的訪問

一個(gè)編寫良好的計(jì)算機(jī)程序常常具有良好的局部性（locality）。

局部性通常有兩種不同的形式：時(shí)間局部性和空間局部性。

• 時(shí)間局部性：在一個(gè)具有良好時(shí)間局部性的程序中，被訪問過一次的內(nèi)存位置很可能在不遠(yuǎn)的將來再被多次訪問 。
• 空間局部性：在一個(gè)具有良好空間局部性的程序中，如果一個(gè)內(nèi)存位置被訪問 了一次，那么程序很可能在不遠(yuǎn)的將來訪問 附近的一個(gè)內(nèi)存位置。

例如對一個(gè)二維數(shù)組求和：

for (i=0; i<M; i++) 
     for(j=0; j<N; j++) 
          sum += data_tab[i][j]; 

其中，sum在循環(huán)迭代中被多次訪問，它具有良好的時(shí)間局部性，但因其為標(biāo)量，因此沒有空間局部性。對二維數(shù)組data_tab而言，其元素在存儲(chǔ)中順序存儲(chǔ)，因此有好的空間局部性，但由于其每個(gè)元素只訪問一次，因此時(shí)間局部性很差。

另外，假設(shè)把上面第三行替換成：

sum += data_tab[j][i]; 

由于二維數(shù)組是按行依次存儲(chǔ)，則每次循環(huán)對內(nèi)存訪問的步長由1變?yōu)镹，空間局部性變差。像這樣看上去對程序很小的改動(dòng)對它的局部性有很大的影響。

存儲(chǔ)類型

2.1 隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（RAM）

上電使用，掉電存儲(chǔ)內(nèi)容丟失。

靜態(tài)RAM（SRAM）：存儲(chǔ)單元具有雙穩(wěn)態(tài)特性，上電就能保持它的值，對光和電噪聲等干擾不敏感。它使用晶體管多，因而密集度低，更貴，功耗更大。

動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）：對每個(gè)位存儲(chǔ)為對一個(gè)電容的充電，因漏電的原因需要不斷刷新來保持存儲(chǔ)值。

• SDRAM（Synchronous DRAM）：用與驅(qū)動(dòng)內(nèi)存控制器相同的外部時(shí)鐘信號(hào)的上升沿，來作為控制信號(hào)。
• DDR SDRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）：通過使用兩個(gè)時(shí)鐘沿作為控制信號(hào)，從而使DRAM的速度翻倍。它是用提高有效帶寬的很小的預(yù)緩沖區(qū)的大小來劃分的，如DDR（2位）、DDR2（4位）、DDR3（8位）。

表1 SRAM與DRAM性能比較

2.2 非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器，即使在關(guān)電后仍能保存著它們的信息。由于歷史的原因，它們也被整體成稱為ROM（Read Only Memory），但很多ROM類型是即可以讀也可以寫的。

PROM（Programble ROM）：只能被編程一次，PROM的每個(gè)存儲(chǔ)器單元有一種熔絲，只能用高電流熔斷一次。

EPROM（Erasable Programble ROM）：可擦寫可編程，對它的編程是通過一種把1寫入EPROM的特殊設(shè)備來完成的。

EEPROM（Electrically Erasable Programble ROM）：電子可擦除，不需要一個(gè)物理上獨(dú)立的編程設(shè)備，因此可以直接在芯片上編程，能被編程的次數(shù)可以達(dá)到10e5次。

閃存（flash）：基于EEPROM的一類非易失性存儲(chǔ)器。對它寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對應(yīng)的內(nèi)容清空，然后再寫入，也就是通常說的“先擦后寫 ”。

• NAND flash：對它的操作以“塊 ”為基本單位，因此要修改一個(gè)字節(jié)，必須重寫整個(gè)數(shù)據(jù)塊。它的容量大，適合做大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
• NOR flash：對它的操作以“字 ”為基本單位。它的容量相對較小，成本大，一般用來存儲(chǔ)程序。

2.3 磁盤

磁盤由盤片構(gòu)成，它是廣為應(yīng)用的保存大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備。不過從磁盤上讀信息的時(shí)間為毫秒級(jí)，比從DRAM讀慢了10萬倍，比從SRAM讀慢了100萬倍。

棧和堆

3.1 棧（stack）

棧是一個(gè)“后進(jìn)先出”的存儲(chǔ)空間，程序運(yùn)行中，代碼“過程 ”涉及到的返回地址、過程參數(shù)、需要保存的寄存器信息都被壓入棧中，過程中聲明的臨時(shí)變量也是在棧中開辟存儲(chǔ)。

過程的形式多樣：函數(shù)、方法、子例程、中斷處理函數(shù)等。當(dāng)過程需要的存儲(chǔ)空間超出寄存器能夠存放的大小時(shí)，就會(huì)在棧上分配空間，這部分空間稱為過程的棧幀。

通常，棧底位于高地址，隨著數(shù)據(jù)的壓入，棧向低地址方向增長，而棧指針指向棧頂。將棧指針減少一個(gè)適當(dāng)?shù)牧浚梢詾闆]有指定初始值的數(shù)據(jù)，在棧上分配空間；類似的，可以通過增加棧指針來釋放空間。因?yàn)闂５奈恢萌Q于.stack段分配在什么地方，所以棧的實(shí)際地址是在連接時(shí)決定的。

假設(shè)過程P調(diào)用過程Q時(shí)，相關(guān)的控制和數(shù)據(jù)信息添加到棧尾，當(dāng)Q返回時(shí)，這些信息會(huì)釋放掉。如果存在多級(jí)調(diào)用（包括遞歸調(diào)用），較早的棧幀也會(huì)累積下來，直到它對應(yīng)的過程結(jié)束。

圖2 通用的棧幀結(jié)構(gòu)

棧空間的大小可以在鏈接命令文件中，使用-stack選項(xiàng)進(jìn)行設(shè)定。在對TI C64X架構(gòu)芯片進(jìn)行編程時(shí)，如果用戶沒有自己設(shè)定，系統(tǒng)默認(rèn)棧的尺寸為1KB。注意：編譯器在編譯期間和運(yùn)行期間都不進(jìn)行對棧溢出的檢查，因此對棧空間的管理上需格外小心。

3.2 堆（heap）

堆是用于動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配的一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域，動(dòng)態(tài)分配的對象不是可直接尋址的，它們總是用指針來訪問。動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配器將堆視為一組不同大小的塊的集合來維護(hù)。每個(gè)塊就是一個(gè)連續(xù)的虛擬內(nèi)存片，要么是已分配的，要么是空閑的。一個(gè)已分配的塊保持已分配狀態(tài)，直到他被釋放，這種釋放要么是應(yīng)用程序顯式執(zhí)行的，要么是內(nèi)存分配器自身隱式執(zhí)行的。

C標(biāo)準(zhǔn)庫提供一個(gè)稱為malloc程序包的顯式分配器，程序通過調(diào)用malloc函數(shù)來從堆中分配塊。malloc函數(shù)返回一個(gè)指針，指向大小至少為size字節(jié)的內(nèi)存塊，這個(gè)塊會(huì)為可能包含在這個(gè)塊內(nèi)的任何數(shù)據(jù)對象類型做對齊。與malloc相對應(yīng)的是free程序包，用于釋放已分配的內(nèi)存塊。

下圖直接截取深入理解計(jì)算機(jī)系統(tǒng)這本書中，用一個(gè)16字的小堆來展示的malloc和free是如何管理堆空間的：

程序使用動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配的最重要原因是，經(jīng)常直到程序?qū)嶋H運(yùn)行時(shí)才知道某些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的大小。

堆位于段.sysmem中，可分配動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)池的大小，僅僅受限于系統(tǒng)中實(shí)際的存儲(chǔ)容量。 堆空間的大小可以在鏈接命令文件中，使用-heap選項(xiàng)進(jìn)行設(shè)定。在對TI C64X架構(gòu)芯片進(jìn)行編程時(shí)，如果用戶沒有自己設(shè)定，系統(tǒng)默認(rèn)堆的尺寸為1KB。

C編程中常見的與內(nèi)存有關(guān)的錯(cuò)誤

在我們項(xiàng)目的調(diào)試中，死機(jī)現(xiàn)象被認(rèn)為是最讓人頭疼的問題，因?yàn)檫@類問題往往很難復(fù)現(xiàn)，而即便是找到了復(fù)現(xiàn)的規(guī)律，也很難通過跟蹤調(diào)試來斷定問題所屬的區(qū)域。由軟件造成死機(jī)的因素，可大致分為兩類：內(nèi)存操作錯(cuò)誤和線程阻塞。

線程阻塞也有很多表現(xiàn)方式，如高優(yōu)先級(jí)線程堆積、程序陷入異常處理流程、死循環(huán)等等。所幸的是，線程阻塞要么很好復(fù)現(xiàn)，要么被追蹤到一次就能立馬找出癥結(jié)所在，可面對內(nèi)存錯(cuò)誤造成的死機(jī)就不那么容易解決了。《深入理解計(jì)算機(jī)系統(tǒng)》這本書中也講到：與內(nèi)存有關(guān)的錯(cuò)誤，屬于那些最令人驚恐的錯(cuò)誤，因?yàn)樗麄冊跁r(shí)間和空間上，經(jīng)常在舉措無緣一段距離之后才表現(xiàn)出來，將錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)選擇錯(cuò)誤的位置，你的程序可能在最終失敗之前運(yùn)行了好幾個(gè)小時(shí)，其實(shí)程序終止的位置距離處的位置已經(jīng)很遠(yuǎn)了。

內(nèi)存操作錯(cuò)誤為什么會(huì)造成死機(jī)？舉個(gè)簡單的類比：一套性能完整的代碼就好比是一幢設(shè)計(jì)建造完好的房子，而內(nèi)存操作錯(cuò)誤就像是突然拆除或篡改了支撐房屋結(jié)構(gòu)或運(yùn)轉(zhuǎn)的關(guān)鍵部位，這一突發(fā)錯(cuò)誤完全超出設(shè)計(jì)意料之外，引發(fā)一連串的惡果也就在所難免。下面是一些常見的內(nèi)存錯(cuò)誤操作的例子（真實(shí)的情況遠(yuǎn)不止這些，更多情況可參考《深入理解計(jì)算機(jī)系統(tǒng)》這本書）：

4.1 數(shù)組越界

int data_tab[100];  
int i; 
   
 
for(i=0; i<=100; i++)  
{  
     data_tab[i] = i;  
} 

這個(gè)例子中data_tab占100個(gè)int型長度，但循環(huán)卻進(jìn)行了101次。C對于數(shù)組應(yīng)用不進(jìn)行任何邊界檢查，而且局部變量和狀態(tài)信息（例如保存的寄存器值和返回地址）存放在棧中，這兩種情況結(jié)合到一起就能導(dǎo)致嚴(yán)重的程序錯(cuò)誤，對越界數(shù)組元素的寫操作，會(huì)破壞存儲(chǔ)在棧中的狀態(tài)信息。

另一種情況是data_tab[]是全局?jǐn)?shù)組，這樣的越界將引起對數(shù)組尾部其它存儲(chǔ)內(nèi)容的修改，倘若被篡改的存儲(chǔ)區(qū)域剛好涉及到代碼的關(guān)鍵流程判斷，意味著異常流程的出現(xiàn)。

4.2 間接引用壞指針

scanf("%d", &val); 

錯(cuò)誤寫成：

scanf("%d", val); 

在這種情況下，scanf將val的內(nèi)容解釋為一個(gè)地址，并試圖將一個(gè)字節(jié)寫到這個(gè)位置。在最好的情況下，程序立即異常終止，在最糟糕的情況下，val的內(nèi)容對應(yīng)于內(nèi)存的某個(gè)合法的讀寫區(qū)域，于是我們就覆蓋了這塊內(nèi)存，就通常會(huì)在相當(dāng)長的一段時(shí)間以后，造成災(zāi)難性的令人困惑的后果。

4.3 誤解指針運(yùn)算

int *search(int *p, int val)  
{  
     while(*p && *p != val) 
     p += sizeof(int)  // should be p++    
 
     return p; 
} 

這種錯(cuò)誤是忘記了指針的算術(shù)操作是以它指向的對象的大小為單位來進(jìn)行的。假設(shè)這里int占四個(gè)字節(jié)，原本掃描每個(gè)int變成了每四個(gè)int掃描一次。

4.4 引用不存在的變量

int *stackref() 
 
{ 
 
     int val; 
 
     int *p; 
 
  
 
     p = &val; 
 
  
 
     return p; 
 
} 

這個(gè)函數(shù)返回一個(gè)指針，指向棧里的一個(gè)局部變量。盡管p仍指向一個(gè)合法的內(nèi)存地址，是它已經(jīng)不再指向一個(gè)合法的變量了。要知道，局部變量val在函數(shù)返回時(shí)，將會(huì)被釋掉。

4.5 引用空閑堆塊中的數(shù)據(jù)

int *heapref() 
 
{ 
 
     int *x, *y; 
 
  
 
     x = (int *)malloc(sizeof(int)); 
 
     ... 
 
     free(x); 
 
  
 
     y = x; 
 
     ... 
 
     return y; 
 
} 

這里y錯(cuò)誤的引用已經(jīng)被釋放的堆塊的數(shù)據(jù)和指針x。申請的堆塊一旦被釋放，雖然之前指向該堆塊的指針x并沒有變化，但它指向的區(qū)域數(shù)據(jù)已經(jīng)不再有效了。

4.6 引起內(nèi)存泄漏

void leak(int n) 
 
{ 
 
     x = (int *)malloc(n*sizeof(int)); 
 
  
 
     return; 
 
} 

這個(gè)函數(shù)中分配了一個(gè)堆塊，但沒釋放就返回。如果經(jīng)常調(diào)用leak，那么漸漸的堆里就會(huì)充滿了垃圾，最糟糕的情況下會(huì)占用整個(gè)內(nèi)存地址空間。內(nèi)存泄漏是緩慢、隱性的殺手。

參考文獻(xiàn)

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【3】TMS320C6000 Assembly Language Tools v7.4--SPRU186W,2012

【4】嵌入式開發(fā)之NorFlash 和NandFlash-tiger-john的CSDN博客