在我們現(xiàn)在的日常工作和生活中，用戶(hù)的對(duì)終端設(shè)備聯(lián)網(wǎng)的需求越來(lái)越大，由此帶來(lái)的對(duì)3G/4G或者WiFi基帶芯片的需求量也一直在大幅增加。國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)在大力發(fā)展無(wú)線基帶技術(shù)的同時(shí)，作為通訊方案重要部分的射頻芯片技術(shù)，也成為制約其通訊方案優(yōu)劣的關(guān)鍵。目前全球的射頻技術(shù)已經(jīng)從模擬發(fā)展到了數(shù)字，數(shù)字射頻芯片一直被認(rèn)為是國(guó)內(nèi)無(wú)線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)，基帶芯片和射頻芯片的集成也一直是業(yè)界孜孜不倦的話題。

　　射頻芯片的設(shè)計(jì)本身有非常專(zhuān)業(yè)的要求，最終要通過(guò)嚴(yán)格的性能測(cè)試。芯片做出來(lái)和大規(guī)模量產(chǎn)是差距非常大的兩個(gè)概念，從戰(zhàn)略眼光看，射頻芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的持續(xù)投入是必然，而且充當(dāng)通信系統(tǒng)的第一個(gè)重要環(huán)節(jié)。國(guó)內(nèi)的射頻企業(yè)，還多停留在模擬射頻芯片的研發(fā)階段，而隨著支持通訊制式的增加，多模射頻芯片的效率和功耗將是左右產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標(biāo)。值得高興的是，國(guó)內(nèi)芯片廠商新岸線相關(guān)負(fù)責(zé)人透露：新岸線的數(shù)字射頻芯片已經(jīng)成功量產(chǎn)，而且很快面世。新岸線布局?jǐn)?shù)字射頻芯片將更大的提升新岸線在通訊上面的技術(shù)積累與能力，結(jié)合其在3G和WiFi基帶芯片上的優(yōu)勢(shì)，為新岸線計(jì)算通信一體化這一戰(zhàn)略目標(biāo)提供更有力的支持。

　　據(jù)悉，新岸線即將面世的三款數(shù)字射頻芯片分別是NR6802(LTE射頻芯片)、NR6803 (GSM/WCDMA射頻芯片)和NR6806(EUHT射頻芯片)。它們擁有低成本、低功耗、高性能、高集成度等特點(diǎn)，都處于業(yè)界先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。下面讓我們來(lái)進(jìn)一步了解下這三款數(shù)字射頻芯片。

　　據(jù)了解，以LTE射頻芯片為代表的NR6802，這款芯片支持LTE的TDD和FDD工作模式。滿足1.4/3/5/10/15/20MHz信道寬帶要求，接收動(dòng)態(tài)范圍105dB,1dB步進(jìn)，發(fā)射動(dòng)態(tài)范圍85dB，0.5dB步進(jìn)，Sleep Mode電流僅為5uA。

　　新岸線的GSM/WCDMA 射頻芯片NR6803，支持UMTS 3GPP Band I,II,V,VIII。支持GSM/EDGE 850/900/1800/1900 MHz，集成LDOs，還支持Digital RF Interface，信道切換時(shí)間小于150us，Sleep Mode電流20uA，采用65nm CMOS先進(jìn)工藝。另外以NR6806為代表的EUHT 射頻芯片，它的接收動(dòng)態(tài)范圍是110dB，發(fā)射動(dòng)態(tài)范圍是30dB，可變帶寬設(shè)計(jì)，支持QAM 256，集成LNA和PA，兼容WiFi，支持MIMO和智能天線，而且還是業(yè)界唯一支持EUHT和WiFi的多模射頻芯片，應(yīng)用范圍非常廣泛。

　　從未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，數(shù)字射頻芯片實(shí)現(xiàn)與基帶芯片的更多融合是必然趨勢(shì)。在通信領(lǐng)域，數(shù)字射頻芯片必將朝著低成本、高效率、高集成度的方向發(fā)展，才可以占有更大的市場(chǎng)。新岸線數(shù)字射頻芯片的發(fā)布,勢(shì)必將成為其在市場(chǎng)布局上的重要優(yōu)勢(shì)。