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清華大學(xué)開發(fā)出0.34nm晶體管:這可能是摩爾定律最后一個節(jié)點

商務(wù)辦公
目前全球半導(dǎo)體工業(yè)量產(chǎn)的芯片技術(shù)還是7nm、5nm工藝,實驗室中有2nm甚至1nm工藝,那清華大學(xué)開發(fā)的0.34nm晶體管有什么意義呢?

日前清華大學(xué)宣布,集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破,首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管,晶體管柵極長度等效0.34nm。

據(jù)清華大學(xué)介紹,目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12nm以上,日本中在2012年實現(xiàn)了等效3nm的平面無結(jié)型硅基晶體管,2016年美國實現(xiàn)了物理柵長為1nm的平面硫化鉬晶體管,而清華大學(xué)目前實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。

為進(jìn)一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸,本研究團(tuán)隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極,通過石墨烯側(cè)向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關(guān),從而實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。

目前全球半導(dǎo)體工業(yè)量產(chǎn)的芯片技術(shù)還是7nm、5nm工藝,實驗室中有2nm甚至1nm工藝,那清華大學(xué)開發(fā)的0.34nm晶體管有什么意義呢?

IEEE官網(wǎng)上也介紹了這次突破,該研究的資深作者、北京清華大學(xué)電氣工程師任天令在采訪中表示,“我們已經(jīng)實現(xiàn)了世界上最小的柵極長度晶體管”。

“在未來,人們幾乎不可能制造小于 0.34 nm 的柵極長度,”任天令指出,“這可能是摩爾定律的最后一個節(jié)點?!?/p>

責(zé)任編輯:武曉燕 來源: 快科技
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