淘汰NAND閃存？英特爾MRAM已準(zhǔn)備投產(chǎn)
英特爾工程師LigiongWei稱，MRAM在其目前的生產(chǎn)特點下，能夠在200°C下高溫下保存10年的數(shù)據(jù)，并能承受超過10^6個切換周期。而且除了高耐久性外，22納米嵌入式的MRAM技術(shù)的比特率超過了99.9%，這種相對保密的技術(shù)來說相當(dāng)可怕。
說到MRAM大家可能不太熟悉，這是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器，與NAND閃存相比，MRAM能夠達到1ns的穩(wěn)定時間，并且高于目前公認的DRAM理論限制，擁有更高的寫入速度，可怕的是MRAM還擁有接近***次寫入的性質(zhì)。
據(jù)外媒報道，英特爾的MRAM已準(zhǔn)備好在大批量生產(chǎn)中投入生產(chǎn)了，采用的是22納米工藝。
據(jù)悉，英特爾工程師LigiongWei稱，MRAM在其目前的生產(chǎn)特點下，能夠在200°C下高溫下保存10年的數(shù)據(jù)，并能承受超過10^6個切換周期。而且除了高耐久性外，22納米嵌入式的MRAM技術(shù)的比特率超過了99.9%，這種相對保密的技術(shù)來說相當(dāng)可怕。
點評：MRAM作為DRAM和NAND閃存的有力替代者，目前還略顯青澀，在商用市場上沒個一兩年很難見到，但可以預(yù)料的是這個技術(shù)相當(dāng)厲害，也許具有打造新型計算機和設(shè)備的潛力(整合內(nèi)存和硬盤?)。
責(zé)任編輯：張誠
來源：
中關(guān)村在線
