SSD固態(tài)盤是這些年在存儲技術(shù)上重大進步，它帶來了電腦主存儲顛覆性地改變。升級SSD不僅是性能上的小幅度提升，SSD將利用具有革命性的隨機訪問速度、卓越的多任務(wù)處理能力、杰出的耐久度及可靠性來改變您的電腦使用體驗。毫無疑問，SSD將是未來存儲的主角。現(xiàn)將SSD組成、SSD相關(guān)技術(shù)及SSD的使用技巧等進行簡單介紹，幫助更多的用戶了解什么是真正的SSD。

我們先了解最基本的SSD組成主要部件，主控芯片、NAND閃存芯片及固件算法。

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SSD速度上遠拋開機械硬盤：

傳統(tǒng)的機械硬盤（HDD）運行主要是靠機械驅(qū)動頭，包括馬達、盤片、磁頭搖臂等必需的機械部件，它必須在快速旋轉(zhuǎn)的磁盤上移動至訪問位置，至少95%的時間都消耗在機械部件的動作上。

SSD卻不同機械構(gòu)造，無需移動的部件，主要由主控與閃存芯片組成的SSD可以以更快速度和準確性訪問驅(qū)動器到任何位置。傳統(tǒng)機械硬盤必須得依靠主軸主機、磁頭和磁頭臂來找到位置，而SSD用集成的電路代替了物理旋轉(zhuǎn)磁盤，訪問數(shù)據(jù)的時間及延遲遠遠超過了機械硬盤。SSD有如此的“神速”，完全得益于內(nèi)部的組成部件：主控--閃存--固件算法。

主控、閃存及固件算法三者的關(guān)系：

SSD最重要的三個組件就是NAND閃存，控制器及固件。NAND閃存負責(zé)重要的存儲任務(wù)，控制器和固件需要協(xié)作來完成復(fù)雜且同樣重要的任務(wù)，即管理數(shù)據(jù)存儲、維護SSD性能和使用壽命等。

主控：

控制器是一種嵌入式微芯片（如電腦中CPU），其功能就像命令中心，發(fā)出SSD的所有操作請求----從實際讀取和寫入數(shù)據(jù)到執(zhí)行垃圾回收和耗損均衡算法等，以保證SSD的速度及整潔度，可以說主控是SSD的大腦中樞。

目前主流的控制器有Marvell、SandForce、Samsung、Indilinx四家：

Marvell是性能速度強悍，各方面都很強勁，代表型號為Marvell 88SS9187主控，運用在浦科特、閃迪、英睿達等品牌的SSD上。

SandForce的性能也不錯，它的特點是支持壓縮數(shù)據(jù)，比如一個10M的可壓縮數(shù)據(jù)可能被他壓成5M的寫入硬盤，但還是占用10M的空間，可以提高點速度，***的特點是會延長SSD的壽命，但是CPU占用會高點而且速度會隨著硬盤的使用逐漸小幅度降低。代表型號為SF-2281，運用在包括Intel、金士頓、威剛等品牌的SSD上。

Samsung主控一般只有自家的SSD上使用，性能上也是很強悍的，不會比Marvell差多少。目前三星主控已經(jīng)發(fā)展到第五代MEX，主要運用在三星840EVO上。

Indilinx被OCZ收購后，主要運用在OCZ的SSD上，擁有不錯的綜合讀寫性能，代表型號為Barefoot 3。

固件算法：

SSD的固件是確保SSD性能的最重要組件，用于驅(qū)動控制器。主控將使用SSD中固件算法中的控制程序，去執(zhí)行自動信號處理，耗損平衡，錯誤校正碼（ECC），壞塊管理、垃圾回收算法、與主機設(shè)備（如電腦）通信，以及執(zhí)行數(shù)據(jù)加密等任務(wù)。由于固件冗余存儲至NAND閃存中，因此當SSD制造商發(fā)布一個更新時，需要手動更新固件來改進和擴大SSD的功能。

開發(fā)高品質(zhì)的固件不僅需要精密的工程技術(shù)，而且需要在NAND閃存、控制器和其他SSD組件間實現(xiàn)***整合。此外，還必須掌握NADN特征、半導(dǎo)體工藝和控制器特征等領(lǐng)域的***進的技術(shù)。固件的品質(zhì)越好，整個SSD就越精確，越高效，目前具備獨立固件研發(fā)的SSD廠商并不多，僅有Intel/英睿達/浦科特/OCZ/三星等廠商。

NAND閃存：

SSD用戶的數(shù)據(jù)全部存儲于NAND閃存里，它是SSD的存儲媒介。SSD最主要的成本就集中在NAND閃存上。NAND閃存不僅決定了SSD的使用壽命，而且對SSD的性能影響也非常大。NAND閃存顆粒結(jié)構(gòu)及工作原理都很復(fù)雜，接下來我們會繼續(xù)推出系列文章來重點介紹閃存，這里主要來了解一下大家平常選購SSD經(jīng)常接觸到的SLC、MLC及TLC閃存。

SLC/MLC/TLC閃存：

種閃存狀態(tài)（圖片來自網(wǎng)絡(luò)）

這幾年NAND閃存的技術(shù)發(fā)展迅猛同，從企業(yè)級標準的SLC閃存到被廣泛運用在消費級SSD上的MLC閃存再到目前正在興起的TLC閃存，短短時間里，我們看到NAND技術(shù)顯著進步。對SLC、MLC及TLC閃存怎么理解呢？簡單來說，NAND閃存中存儲的數(shù)據(jù)是以電荷的方式存儲在每個NAND存儲單元內(nèi)的，SLC、MLC及TLC就是存儲的位數(shù)不同。

單層存儲與多層存儲的區(qū)別在于每個NAND存儲單元一次所能存儲的“位元數(shù)”。SLC（Single-Level Cell）單層式存儲每個存儲單元僅能儲存1bit數(shù)據(jù)，同樣，MLC（Multi-Level Cell）可儲存2bit數(shù)據(jù)，TLC(Trinary-Level)可儲存3bit數(shù)據(jù)。一個存儲單元上，一次存儲的位數(shù)越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節(jié)約閃存的成本，提高NAND的生產(chǎn)量。但隨之而來的是，向每個單元存儲單元中加入更多的數(shù)據(jù)會使得狀態(tài)難以辨別，并且可靠性、耐用性和性能都 會降低。

閃存的類型各自有優(yōu)缺點，如何在保證SSD的性能，耐久度，壽命的前提下，提高存儲密度，增大SSD的容量，降低SSD的制造成本，這才有可能迎來下一個個人存儲革命的開端。

總結(jié)：SSD帶來極速體驗的前提是擁有著非常復(fù)雜的技術(shù)在支撐，并不同機械硬盤通電即使用，SSD需要正確地使用方法及后期更多的維護，而這些的基礎(chǔ)是您對SSD有足夠的了解，我們將繼續(xù)探討神秘的SSD技術(shù)。