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SK Hynix(海力士)即將量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM閃存芯片

原創(chuàng)
存儲(chǔ) 新聞
在加快10nm DRAM量產(chǎn)進(jìn)度的同時(shí),SK Hynix(海力士)還全面啟動(dòng)了1ynm和1znm DRAM的開(kāi)發(fā)工作,分別命名為“Davinci”和“Rigel”,希望通過(guò)加快這兩項(xiàng)新項(xiàng)目的研發(fā)來(lái)減少與三星之間的差距

   【51CTO.com原創(chuàng)稿件】據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,閃存芯片研發(fā)生產(chǎn)廠商SK Hynix(海力士)已經(jīng)完成了10nm級(jí)DRAM的研發(fā)工作,并將于2017年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM。據(jù)了解,為了增加DRAM的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),SK Hynix(海力士)在結(jié)束了1xnm DRAM研發(fā)工作的同時(shí)還開(kāi)始1ynm DRAM的研發(fā)工作,并且同步建立了1znm DRAM的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。 

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  如果情況屬實(shí),那么SK Hynix(海力士)將成為繼三星之后第二家邁入10nm DRAM的生產(chǎn)制造廠商。不過(guò),三星電子在今年第二季度已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)1xnm DRAM,如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度實(shí)現(xiàn)1xnm DRAM的量產(chǎn),它們之間的差距將縮減到1年。

  大家知道,半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品在制造過(guò)程中分為工程樣品(ES)和客戶樣品(CS)兩種類型。工程欄目(ES)用于內(nèi)部測(cè)試,客戶樣品是為了在客戶端測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)并修復(fù)工程樣品可能存在的某些問(wèn)題,當(dāng)客戶樣品測(cè)試完成了之后可以判定完成了產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)過(guò)程。據(jù)了解,SK Hynix(海力士)1xnm DRAM的項(xiàng)目命名為WieAlius,目前已經(jīng)有了晶圓原型,正在進(jìn)行量產(chǎn)前可行性的最終測(cè)試。

  另外,有報(bào)道稱SK Hynix(海力士)即將立即執(zhí)行客戶樣品測(cè)試的流程,這說(shuō)明SK Hynix已經(jīng)基本成功完成了1xnm DRAM開(kāi)發(fā)。

  在加快10nm DRAM量產(chǎn)進(jìn)度的同時(shí),SK Hynix(海力士)還全面啟動(dòng)了1ynm和1znm DRAM的開(kāi)發(fā)工作,分別命名為“Davinci”和“Rigel”,希望通過(guò)加快這兩項(xiàng)新項(xiàng)目的研發(fā)來(lái)減少與三星之間的差距,這也是SK Hynix目前正在進(jìn)行的“+2”策略。所謂的“+2”策略是存儲(chǔ)行業(yè)中完成一個(gè)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)后同時(shí)開(kāi)始進(jìn)行后面兩代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

  從***的報(bào)道來(lái)看,SK Hynix(海力士)將在2017年***季度對(duì)位于利川的M14工廠投入生產(chǎn)設(shè)備,為批量量產(chǎn)做準(zhǔn)備,并將于2017年的第二季度開(kāi)始1xnm DRAM的批量生產(chǎn)。

  市場(chǎng)預(yù)測(cè),2017年將是SK Hynix(海力士)變化***的一年,在閃存市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)的前提下,若SK Hynix2017年的技術(shù)開(kāi)發(fā)能一切順利,其年?duì)I業(yè)利潤(rùn)將進(jìn)一步成長(zhǎng)。

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責(zé)任編輯:張誠(chéng) 來(lái)源: 51CTO
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