在國際固態電路會議ISSCC 2009上，Intel拿出了32nm Westmere處理器，SanDisk也同樣帶來了32nm工藝，只不過會用在NAND閃存上。

SanDisk宣布與東芝合作研發32nm MLC NAND閃存存儲技術，生產32Gb 3bit/cell(X3)閃存芯片，可廣泛用于高速存儲卡和固態硬盤等產品。

SanDisk的***代X3技術是在一年半前的56nm工藝上實現的，現在43nm工藝上的是第二代，即將配合32nm的則是第三代技術。

SanDisk稱，規劃中的32nm 32Gb X3芯片將是最小尺寸的NAND閃存核心，面積僅僅113平方毫米，同時存儲密度也是***的，能在相似的核心面積上提供兩倍于43nm MicroSD芯片的容量，另外借助SanDisk的專利技術All-Bit-Line，能有效確保足夠的寫入性能。

SanDisk預計將在今年下半年開始投產這種32nm 32Gb X3閃存。